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向大容量消耗级市场进军,三星推出SSD 870 QVO

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向大容量消耗级市场进军,三星推出SSD 870 QVO

作者: http://www.wsngk.cn | 时间:2020-07-11

原标题:向大容量消耗级市场进军,三星推出SSD 870 QVO

比来,三星推出了始款消耗级QLC闪存SSD 860 QVO的第二代产品870 QVO:性能幼幅度升级,最大容量升迁到了8TB。

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QLC硬盘没上市之前就不息的被DIY玩家们吐槽寿命矮,写入量差,耗尽缓存后读写速度慢,也会提出清淡用户避免购买采用QLC闪存的固态,但就这样前消耗级TLC逐渐替代MLC相通,厂家在面对产品的成本和性能之间也会做出必定的权衡。现在QLC闪存远大用于中矮端SATA固态,主打性价比和大容量,此前三星860 QVD的容量就做到了4TB,而870 QVD更是升迁到了8TB。

据晓畅,本次870 QVO采用了LPDDR4缓存,将64层的V-NAND闪存升级到了92层,单颗闪存的容量就达到了1TB,而构成一块8TB的固态只必要8颗闪存就能够了,同时主控也从MJX升级到MKX,不过并未公布任何技术更新、固件转折,答该只是通例更新。

870 QVO每1TB容量都响答配置了1GB的LPDDR4 DRAM,1TB版本带有1GB缓存,8TB版本则有8GB,此外870 QVO还竖立了模拟SLC缓存来改善QLC闪存的读写性能。稀奇是在进走写入的时候,一旦SLC缓存容量被行使完,就会失踪回QLC闪存的实际速度,性能大幅降矮,因而现在固态硬盘性能测试清淡分为缓内速度懈弛外速度。

按照官方数据,870 EVO的2/4/8TB版本都设有78GB的SLC缓存,1TB则只有42GB。赓续读取速度都是560MB/s,SLC缓存下的赓续写入都是530MB/s,比上一代860 QVO略快,但是QLC闪存下,2/4/8TB型号的赓续写入会降至160MB/s,1TB的更是只有80MB/s,产品展示缓内速度照样原地踏步,和860 QVO相比随机和4K读取性能也有所升迁。

其实在三星870 QVO之前就已经有厂商推出过8TB容量的固态了,比如Intel S4510镁光、三星PM1725和镁光9200系列,还有镁光和Intel共同开发的第一款8TB容量的QLC固态5210 ION,但是以上产品都是面向企业级市场的,此前消耗级的固态最大容量清淡为4TB。

不过就算三星也只能算第一家发布消耗级8TB QLC SATA固态的厂商了。由于今年5月份的时候,北美存储品牌Sabrent就发布了业内始款消耗级8TB M.2固态硬盘——Rocket Q 8TB NVMe PCIe M.2 SSD。

Rocket Q 8TB采用通例M.2 2280尺寸规格,双面颗粒,基于群联E-12S主控,搭载镁光3D QLC NAND颗粒,和三星870 QVO相通单颗闪存容量1TB。采用2GB DDR3内存,声援NVMe 1.3制定,此外Rocket Q 8TB还丧心病狂的竖立了512GB的SLC缓存,缓内读取速度3.4G/s写入速度3G/s。此外还声援APST / ASPM / L1.2电源管理和SMART、TRIM检测以及垃圾回收等功能。

随着3D NAND闪存技术的发展,各个存储大厂包括三星、SK海力士、镁光从最开起的32层、64层到现在的96层甚至128层,堆叠层数不息挑高。往年在上海举办的GSA MEMERY+论坛上,三星外示,异日5年内,3D NAND堆叠层数将达到500层,10年内将可达到1000层。

QLC的矮成本大存储密度结相符3D NAND技术生产的固态硬盘产品会成为异日消耗市场的主流,现在2TB以下的固态已经能做到0.x元/GB的了,以后2TB及以上的QLC固态的价格还会更矮,至于速度和寿命的题目这就要望用户的详细行使场景了(只要吾缓存有余大就不怕失踪速),谁不想买到益处又大杯的产品呢?

(编辑:hnm)

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